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Von der Komponente zu Ihrem 3D-System

Bei HARTING sind verschiedene Verbindungstechnologien, wie die SMD-Bestückung, die Chipmontage, die Kombination von MID und Leiterplatten oder MID und Steckverbindern qualifiziert. Damit wird Ihre MID Komponente zu einer kompletten Baugruppe erweitert.

Die Auswahl der Verbindungstechnologie erfolgt in Abhängigkeit vom Produktdesign. Gemeinsam mit Ihnen entscheiden wir, welche Lösung Ihrem Produkt entspricht.

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Whitepaper Verbindungstechnik

SMD-Bestückung

Bei der SMD-Bestückung (Surface-Mounted Device) kommen das Löten oder das Leitkleben zum Einsatz.

Das bevorzugte Verfahren für MID ist das Dampfphasenlöten. Dadurch wird eine homogene Temperaturverteilung auf der Baugruppe auch bei dreidimensionalen Geometrien erzielt.

Als alternative Verbindungstechnik wenden wir das Leitkleben an. Es kommt insbesondere als Alternative bei Materialien zum Einsatz, die nicht zum Löten geeignet sind oder wenn es die Montagehierarchie erfordert.

MID und Steckverbinder

Eine Vielfalt von Steckverbindungen kann durch die Designfreiheit von 3D-MID integriert werden. Hierzu werden Pins in das Kunststoffteil eingepresst, die den Einsatz von Standardsteckverbinder zur Anbindung der MID Komponente ermöglichen.

MID und Leiterplatte

3D-MID Komponenten können vergleichbar zu SMD Komponenten auf der Leiterplatte bestückt werden. Weiterhin lassen sich auch Leiterplatten in 3D-MID Systeme integrieren. Durch eine sinnvolle Kombination können die Stärken beider Technologien im Gesamtsystem zum Tragen kommen.

Chipmontage

3D-MID-Kompnenten bieten in Kombination mit integrierten Silizium-Chips ein attraktives Miniaturisierungspotential. HARTING hat zwei Montagestrategien qualifiziert, um diese Möglichkeiten effektiv zu nutzen. 

Drahtbonden
Beim Drahtbonden wird der Silizium-Chip mit Klebstoffen auf dem Bauteil fixiert. Die Kontakte des Chips werden anschliessend via Draht mit den Leiterbahnen verbunden und durch eine Verguss aus Epoxidharz (Glob Top) vor Umwelteinflüssen geschützt.

Flip-Chip
Beim Flip-Chip-Prozess wird der Silizium-Chip grundsätzlich umgedreht auf der Leiterbahn aufgebracht. Die elektrische Kontaktierung, die mechanische Fixierung sowie der Schutz der Chip-Oberfläche erfolgen anschliessend in einem einzelnen Prozessschritt


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